當晶圓切割面臨復雜圖形切割需求時，中清航科的矢量切割技術展現出獨特優(yōu)勢。該技術可精確識別任意復雜切割路徑，包括圓弧、曲線及異形圖案，通過分段速度調節(jié)確保每一段切割的平滑過渡，切割軌跡誤差控制在 2μm 以內。目前已成功應用于光電子芯片的精密切割，為 AR/VR 設備中心器件生產提供有力支持。半導體生產車間的設備協同運作對通信兼容性要求極高，中清航科的晶圓切割設備多方面支持 OPC UA 通信協議，可與主流 MES 系統實現實時數據交互。通過標準化數據接口，將切割進度、設備狀態(tài)、質量數據等信息實時上傳至管理平臺，助力客戶實現生產過程的數字化管控與智能決策。中清航科推出切割機租賃服務，降低客戶初期投入成本。衢州碳化硅半導體晶圓切割代工廠

為滿足汽車電子追溯要求，中清航科在切割機集成區(qū)塊鏈模塊。每片晶圓生成單獨工藝參數數字指紋（含切割速度、溫度、振動數據），直通客戶MES系統，實現零缺陷溯源。面向下一代功率器件，中清航科開發(fā)等離子體輔助切割（PAC）。利用微波激發(fā)氧等離子體軟化切割區(qū)材料，同步機械分離，切割效率較傳統方案提升5倍，成本降低60%。邊緣失效區(qū)（Edge Exclusion Zone）浪費高達3%晶圓面積。中清航科高精度邊緣定位系統通過AI識別有效電路邊界，定制化切除輪廓，使8英寸晶圓可用面積增加2.1%，年省材料成本數百萬。
寧波sic晶圓切割劃片廠切割刀痕深度控制中清航科技術達±0.2μm，減少后續(xù)研磨量。

隨著半導體市場需求的快速變化，產品迭代周期不斷縮短，這對晶圓切割的快速響應能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開發(fā)團隊，承諾在收到客戶新樣品后 72 小時內完成切割工藝驗證，并提供工藝報告與樣品測試數據，幫助客戶加速新產品研發(fā)進程，**占市場先機。晶圓切割設備的操作**性至關重要，中清航科嚴格遵循 SEMI S2 **標準，在設備設計中融入多重**保護機制。包括激光**聯鎖、急停按鈕、防護門檢測、過載保護等，同時配備**警示系統，實時顯示設備運行狀態(tài)與潛在風險，確保操作人員的人身**與設備的**運行。

中清航科飛秒激光雙光子聚合技術：在PDMS基板上直寫三維微流道（**小寬度15μm），切割精度達±0.25μm，替代傳統光刻工藝，開發(fā)成本降低80%。中清航科推出“切割即服務”（DaaS）：客戶按實際切割面積付費（$0.35/英寸），包含設備/耗材/維護全包。初始投入降低90%，產能彈性伸縮±50%，適配訂單波動。中清航科共聚焦激光測距系統實時監(jiān)測切割深度（分辨率0.1μm），閉環(huán)控制切入量。將150μm晶圓切割深度誤差壓縮至±2μm，背面研磨時間減少40%。
中清航科切割耗材全球供應鏈，保障客戶生產連續(xù)性。

8 英寸晶圓在功率半導體、MEMS 等領域仍占據重要市場份額，中清航科針對這類成熟制程開發(fā)的切割設備，兼顧效率與性價比。設備采用雙主軸并行切割設計，每小時可加工 40 片 8 英寸晶圓，且通過優(yōu)化機械結構降低振動噪聲至 65 分貝以下，為車間創(chuàng)造更友好的工作環(huán)境，深受中小半導體企業(yè)的青睞。晶圓切割工藝的數字化轉型是智能制造的重要組成部分。中清航科的切割設備內置工業(yè)物聯網模塊，可實時采集切割壓力、溫度、速度等 100 余項工藝參數，通過邊緣計算節(jié)點進行實時分析，生成工藝優(yōu)化建議?？蛻艨赏ㄟ^云端平臺查看生產報表與趨勢分析，實現基于數據的精細化管理。切割路徑智能優(yōu)化系統中清航科研發(fā)，復雜芯片布局切割時間縮短35%。衢州碳化硅半導體晶圓切割代工廠

切割機預測性維護平臺中清航科上線，關鍵部件壽命預警準確率99%。衢州碳化硅半導體晶圓切割代工廠

在晶圓切割的批量一致性控制方面，中清航科采用統計過程控制（SPC）技術。設備實時采集每片晶圓的切割尺寸數據，通過 SPC 軟件進行分析，繪制控制圖，及時發(fā)現過程中的異常波動，并自動調整相關參數，使切割尺寸的標準差控制在 1μm 以內，確保批量產品的一致性。針對薄晶圓切割后的搬運難題，中清航科開發(fā)了無損搬運系統。采用特制的真空吸盤與輕柔的取放機構，配合視覺引導，實現薄晶圓的平穩(wěn)搬運，避免搬運過程中的彎曲與破損。該系統可集成到切割設備中，也可作為單獨模塊與其他設備對接，提高薄晶圓的處理能力。衢州碳化硅半導體晶圓切割代工廠